杭州富加镓业科技有限公司

富加镓业科技有限公司（简称“富加镓业”）成立于2019年12月，注册资金500万，坐落于美丽的杭州市富阳区，是由中国科学院上海光学精密机械研究所与杭州市富阳区政府共建的“硬科技”产业化平台——杭州光机所孵化的科技型企业。 富加镓业专注于宽禁带半导体材料研发，公司核心创始人具有中科院博士、剑桥大学博士等材料领域的深厚背景，团队成员主要来自中国科学院、美英海归等业内资深人才，研发人员中硕士以上比例达到80%；公司厂房面积八千余平米，拥有多台大尺寸导模法晶体生长炉、多气氛晶体退火炉、高精密抛光机等仪器设备，为公司的发展提供了基础支撑和持续创新动力硬件保证。氧化镓单晶材料，是继Si、SiC及GaN后的第四代宽禁带半导体材料，以β-Ga2O3单晶为基础材料的功率器件具有更高的击穿电压与更低的导通电阻，从而拥有更低的导通损耗和更高的功率转换效率，在功率电子器件方面具有极大的应用潜力。典型的应用领域包括：电动汽车、光伏逆变器、高铁输电、军用电磁轨道炮、电磁弹射、全电舰艇推进等；除此之外，氧化镓由于低成本及与GaN的低失配的特性，还可用于GaN材料的外延衬底，GaN及HEMT具有功率密度高、体积小，可工作在40GHz等优点，是5G基站攻略放大器的首选材料，随着5G行业的迅速发展，也将带动氧化镓单晶衬底产业的迅速发展。富加镓业最初技术来源于中科院上海光机所技术研发团队，该团队是我国最早从事氧化镓晶体生长的团队。富加镓业专业从事氧化镓单晶材料设计、模拟仿真、生长及性能表征等工作，形成了较鲜明的特色和优势。我们注重知识产权保护和氧化镓相关基础探索研究工作，在全球范围内对氧化镓晶体材料生长及上下游应用领域的专利进行布局，申请进入欧盟、美国、日本、韩国、新加坡等国家。团队的氧化镓晶体材料及器件基础研究成果，多篇科研论文已发表在国际顶级学术期刊上，与全球科研工作者共享最新研究成果，共同推动全球第四代半导体相关行业的发展。富加镓业所有员工牢记时代赋予我们的历史使命，传承艰苦奋斗、迎难而上的传统美德，锐意创新、开拓进取，努力创造无愧于时代的辉煌业绩。也欢迎国内外业内人士前来参观交流！